除了整形時(shí)間常數(shù)在0.25到6 μs的范圍之外,半高斯放大器的單極輸出端與ORTEC 572型相同。此輸出端的較長整形時(shí)間常數(shù)可在低計(jì)數(shù)率下提供能量分辨率。
在高計(jì)數(shù)率下,短整形時(shí)間常數(shù)是實(shí)現(xiàn)高處理量的必要條件。Ge輻射探測器中的電荷收集時(shí)間變化在如此短的時(shí)間常數(shù)下通常會(huì)嚴(yán)重降低能量分辨率。門控積分器通過積分單極脈沖下的區(qū)域和設(shè)置積分周期解決了這個(gè)問題,該積分周期可確保對(duì)由Ge輻射探測器中較慢電荷收集產(chǎn)生的較長脈沖進(jìn)行積分。由此顯著提高了能量分辨率,其處理量約為傳統(tǒng)半高斯整形計(jì)數(shù)率的四倍。673型門控積分器輸出可在比半高斯整形高得多的計(jì)數(shù)率下保持出色的分辨率和峰值位置穩(wěn)定性。
其中的堆積判棄器用來限度地降低由兩個(gè)或多個(gè)射線在一個(gè)放大器脈沖寬度內(nèi)到達(dá)輻射探測器而引起的譜失真。堆積判棄器連接到多通道分析儀的反符合柵極,并為單極或門控積分器輸出端提供保護(hù)。前面板開關(guān)允許手動(dòng)或自動(dòng)調(diào)整堆積盤棋器和基線恢復(fù)器的噪聲閾值。手動(dòng)模式適用于晶體管復(fù)位前置放大器。
673型適用于電阻反饋前置放大器和晶體管復(fù)位前置放大器(TRP)。利用晶體管復(fù)位前置放大器,可以在由前置放大器復(fù)位引起的過載持續(xù)時(shí)間內(nèi)將從前置放大器復(fù)位信號(hào)得到的邏輯脈沖提供給673型的柵極輸入端。柵極輸入端與GI INH輸出端的堆積判棄器信號(hào)進(jìn)行“或”運(yùn)算,并被多通道分析儀用來防止分析因復(fù)位而失真的脈沖。
單極輸出端還可用作高性能半高斯整形放大器,可與各種類型的輻射探測器結(jié)合使用,包括鍺輻射探測器、硅帶電粒子輻射探測器、Si(Li)輻射探測器、正比計(jì)數(shù)器和閃爍輻射探測器。