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資料 +
- D系列宣傳冊
- D系列宣傳冊（A4）

安裝布局 +

訂購時必須指定安裝座。

A 這是一個“環(huán)形安裝座”；即硅晶片在其環(huán)上，沒有輸出連接器。這種不常使用的布局可應特殊要求提供。適用于40 μm至100 μm的探測器。

E 這是一種特殊類型的傳輸安裝座，可以小心調節(jié)其四個螺釘，以避免對特別脆弱的硅晶片施加過大的壓力。適用于厚度達40.0 μm的探測器。注意：通過移除螺釘，可以拆卸E安裝座。V尺寸提供適合0.080螺釘、直徑為1.7 mm的安裝孔之間的距離。

T 側面的Microdot連接器（向后開口），耗盡深度>40.0 μm。

尺寸以毫米為單位。

探測器尺寸 (mm²)	W (標稱)	A型		E型可拆卸的傳輸				T型傳輸
探測器尺寸 (mm²)	W (標稱)	X	Y	X	Y	Z	V	X	Y	Z
050	8.0	15.2	3.7	25.1	7.7	7.0	18.2	19.4	7.9	9.9
150	13.8	22.0	3.7	31.9	7.7	7.0	25.0	26.1	7.9	9.9
300	19.5	27.1	3.7	37.1	7.7	7.0	30.1	31.6	7.9	9.9
450	23.9	30.5	3.7	40.2	7.7	7.0	33.3	34.8	7.9	9.9
公差	±0.5	±0.3	±0.3	±0.5	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3

訂購信息 +

訂購時必須指定安裝座。

除非另有說明，否則提供適用于厚度達40.0μm的E安裝座；適用于厚度>40.0 μm的T型安裝座。

*所有標準耗盡的探測器都以特定的角度從母晶體上偏軸切割，這將限度地減少離子穿隧效應?？蔀樘厥庥唵翁峁└蟮拿娣e?？蔀樘厥庥唵翁峁┢渌娣e和深度。

**型號的前三位數字表示使用標準ORTEC電子設備和0.5-μs整形時間常數測得的總系統(tǒng)噪聲寬度。噪聲寬度針對每個范圍和指定標稱面積的最小厚度（電容）給出。對于高電容單元，性能取決于實際厚度和面積。

注:兼容Alpha套件的探測器:ENS-系列(購買新系統(tǒng)時含安裝和測試)、ENS8系列(新系統(tǒng)的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測器型號保證與Alpha套件產品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探測器都需要經過特殊批準以保證其兼容性及指標規(guī)格。

有效面積 (mm²)	厚度變化（μm）	耗盡深度15 µm 范圍7-15µm	耗盡深度25 µm 范圍15.1-25µm	耗盡深度40 µm 范圍25.1-40µm
有效面積 (mm²)	厚度變化（μm）	型號	型號	型號
10	±0.5	D-020-010-15
50	±0.5	D-035-050-15	D-035-050-25	D-020-050-40
150	±1.0		D-060-150-25	D-035-150-40
300	±1.0		D-095-300-25	D-055-300-40
450	±3.0		D-100-450-25	D-090-450-40

有效面積 (mm²)	厚度變化（μm）	耗盡深度50 µm 范圍40.1-65µm	耗盡深度75 µm 范圍65.1-85µm	耗盡深度100 µm 范圍85.1-110µm
有效面積 (mm²)	厚度變化（μm）	型號	型號	型號
50	±0.5	D-015-050-50	D-015-050-75	D-015-050-100
150	±1.0	D-030-150-50	D-030-150-75	D-025-150-100
300	±1.0	D-045-300-50	D-040-300-75	D-030-300-100
450	±3.0	D-070-450-50	D-060-450-75	D-060-450-100

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D系列平面型全耗盡硅面壘型輻射探測器

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