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Gamma-X(GMX)N型高純鍺(HPGe)同軸輻射探測(cè)器

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-07-25
  • 訪  問  量:25

簡(jiǎn)要描述:GAMMA-XN型同軸HPGe探測(cè)器適用于能量范圍為~3keV及以上的高性能伽馬能譜測(cè)量

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產(chǎn)品詳情
HPGe Radiation Detector Energy Range - GMX Radiation Detector
GAMMA-X N型同軸HPGe探測(cè)器適用于能量范圍為~3 keV及以上的高性能伽馬能譜測(cè)量。

GAMMA-X(GMX)探測(cè)器是一款同軸鍺(Ge)探測(cè)器,具有超薄入射窗口。大多數(shù)同軸探測(cè)器具有500至1000微米厚的入射窗口,但該探測(cè)器的入射窗口是一個(gè)0.3微米厚的離子注入接觸面,將較低的有用能量范圍擴(kuò)展至約3 keV。離子注入將產(chǎn)生穩(wěn)定的接觸面,其不會(huì)隨著重復(fù)回溫循環(huán)而惡化。此外,N型HPGe探測(cè)器已經(jīng)證明能夠抵抗快中子損傷。

GAMMA-X系列特征:
  • GAMMA-X效率標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品可達(dá)100%,還可應(yīng)要求提高。
  • 譜測(cè)量從3 keV向上。
  • 超薄硼離子注入輻射窗口,是康普頓抑制系統(tǒng)的理想選擇。
  • 抗中子損傷;用戶自修復(fù)中子損傷選件。
  • 出色的能量分辨率和峰對(duì)稱性。
  • SMART偏壓選件。
  • 惡劣環(huán)境(-HE)選件。
  • 鈹窗口配有保護(hù)罩;鋁或碳纖維窗口選件可免費(fèi)提供。
  • 低本底碳纖維端蓋選件。
  • 外加前置放大器選件適用于超高計(jì)數(shù)率應(yīng)用。
  • 巨大的配置靈活性,PopTop、Streamline和機(jī)械冷卻選項(xiàng)。
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    • Download link Gamma-X(GMX)配置指南
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    • Download link 半導(dǎo)體探測(cè)器概述
    • Download link 半導(dǎo)體探測(cè)器的物理學(xué)綜述
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    GAMMA-X系列探測(cè)器采用ORTEC生長(zhǎng)的鍺晶體設(shè)計(jì),該晶體經(jīng)我們位于田納西州橡樹嶺的制造工廠加工。探測(cè)器由N型鍺制成,具有擴(kuò)散Li的內(nèi)部接觸面和離子注入硼的外部超薄接觸面。

    GAMMA-X探測(cè)器在高能量和低能量下異常地表現(xiàn)出的效率。ORTEC提供GMX系列HPGe探測(cè)器,相對(duì)效率從10%到100%甚至更高。

    ORTEC擁有一系列HPGe探測(cè)器。其中一些具有“超級(jí)規(guī)格”,即保證的能量分辨率優(yōu)于通常的保證規(guī)格。

    GAMMA-X探測(cè)器的高低能量性能
    GAMMA-X探測(cè)器的高能量性能由其相對(duì)效率、分辨率和其在60Co時(shí)的峰康比定義。

    該探測(cè)器的低能量性能由其在5.9keV的分辨率、其有效表面積和探測(cè)器窗口厚度定義。

    GAMMA-X探測(cè)器的入射接觸面厚度由現(xiàn)成源的兩個(gè)峰的面積比來(lái)描述。選擇的峰來(lái)自109Cd的88-keV伽馬射線和來(lái)自相同源的22.16-keV Ag K x射線。保證窗口衰減率為20。

    WE =

    22.16 keV時(shí)的峰面積

    88 keV時(shí)的峰面積

    22 keV峰值/88 keV峰面積
    該規(guī)格量化了GAMMA-X探測(cè)器中入射窗口的薄度。來(lái)自109Cd源22keV和88 keV譜線的γ射線的自然比率約為21:1。GAMMA-X探測(cè)器通常顯示>20:1的比率。

    鈹窗
    70毫米(2.75英寸)或76毫米(3英寸)直徑端蓋(10至~35%)的GMX探測(cè)器配有直徑為51毫米(2英寸)的Be窗口。83毫米(3.25英寸)直徑端蓋(約30至65%)的GMX探測(cè)器配有直徑為64毫米(2.5英寸)的Be窗口。這些窗口為0.020英寸厚并在5.9-keV時(shí)具有~95%的透射系數(shù)。95毫米(3.75英寸)直徑端蓋(約60至100%)的探測(cè)器配有直徑為84毫米(3.3英寸)的Be窗口,該窗口為0.030英寸厚。

    高壓禁止和高速率指示
    GAMMA-X探測(cè)器具有高壓禁止和高速率指示保護(hù)功能。如果LN2耗盡且探測(cè)器在施加高壓偏壓時(shí)開始回溫(使用659型偏壓電源時(shí)),則高壓會(huì)自動(dòng)關(guān)閉,以保護(hù)FET免受損壞。這通過溫度傳感器(位于探測(cè)器后面的底座上)實(shí)現(xiàn),該溫度傳感器用于在分子篩脫氣并產(chǎn)生危險(xiǎn)的高壓電弧之前關(guān)閉高壓。使用回溫探測(cè)器的高泄漏電流來(lái)關(guān)閉高壓可能導(dǎo)致FET和探測(cè)器損壞。

    抗中子損傷
    在GAMMA-X探測(cè)器中,收集電子是主要的過程??熘凶訉a(chǎn)生空穴俘獲中心;也就是說,帶負(fù)電的缺陷會(huì)捕獲空穴而不是電子。

    因此,與空穴俘獲為主要過程的同軸Ge設(shè)備相比,空穴俘獲為次要過程的GAMMA-X探測(cè)器對(duì)輻射損傷基本上不敏感。這些理論上的猜測(cè)已經(jīng)通過實(shí)驗(yàn)得到證實(shí)。

    應(yīng)該注意的是,一旦發(fā)生嚴(yán)重的輻射損傷,“最長(zhǎng)里程”可以通過避免將探測(cè)器循環(huán)到室溫來(lái)獲得。對(duì)于p型或n型Ge探測(cè)器也是如此。然而,對(duì)于輕微損傷的GAMMA-X探測(cè)器(~0.1 keV衰減),回溫循環(huán)甚至長(zhǎng)時(shí)間室溫保存都不會(huì)產(chǎn)生不利影響。

    GAMMA-X探測(cè)器應(yīng)盡可能保持在接近77 K的溫度,以盡量減少輻射損傷的程度。因此,為了這個(gè)目的,Streamline低溫恒溫器少了一個(gè)熱連接,是比PopTop更好的選擇。

    客戶中子損傷可修復(fù)探測(cè)器
    修復(fù)中子損傷的GAMMA-X探測(cè)器可以在我們的任何維修機(jī)構(gòu)進(jìn)行,也可以由您自己在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行。如需獲取更多有關(guān)我們客戶中子損傷可修復(fù)GAMMA-X探測(cè)器的信息,請(qǐng)聯(lián)系我們。

  • 可選附件 +


    集成低溫冷卻系統(tǒng)選件(-ICS-E)
    集成低溫冷卻系統(tǒng)(ICS)低溫恒溫器配備有低溫冷卻器,不受回溫循環(huán)的影響。與使用標(biāo)準(zhǔn)型低溫恒溫器探測(cè)器的典型三天損失不同,ICS可以立即重新冷卻,限度地減少因臨時(shí)回溫而損失的任何時(shí)間。

    SMART-1選件 (-SMN)
    SMART-1選件用于監(jiān)控和報(bào)告重要的系統(tǒng)功能,還可保存驗(yàn)證碼并在稍后報(bào)告該驗(yàn)證碼。它包括高壓,因此所有儀器都不需要外部高壓電源。SMART-1采用堅(jiān)固的ABS模塑塑料外殼,并通過模塑密封電纜牢牢地固定在探測(cè)器端蓋上。這可避免探測(cè)器因水分泄漏到高壓連接器中而受到嚴(yán)重?fù)p壞。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置,不會(huì)干擾屏蔽罩或其他安裝硬件。

    超高計(jì)數(shù)率前置放大器選件(-PL)
    超高計(jì)數(shù)率前置放大器(晶體管復(fù)位前置放大器)可在1 MeV下處理高達(dá)1,000,000個(gè)計(jì)數(shù)/秒的輸入計(jì)數(shù)率,并具有無(wú)反饋電阻的額外優(yōu)勢(shì)。

    惡劣環(huán)境選件(-HE)
    惡劣環(huán)境選件是一個(gè)堅(jiān)固的碳纖維端蓋,配有密封的電子設(shè)備外殼,并帶有可更換的干燥劑包,用以確保電子設(shè)備保持100%干燥并指示何時(shí)需要更換干燥劑包。直徑為76 mm或更大PopTop封裝設(shè)計(jì)中的GMX系列探測(cè)器可配備此選件。

    遠(yuǎn)程前置放大器選件(-HJ)
    此選件讓所有前置放大器和高壓接頭位于屏蔽之外,并將前置放大器和高壓濾波器從Ge晶體的“視線”移開。對(duì)于低本底應(yīng)用,此選件消除了可能增加屏蔽罩內(nèi)部本底的任何可能性,來(lái)源于前置放大器或高壓濾波器組件。

    低本底碳纖維端蓋選件(-RB、-LB-C和-XLB-C)
    低本底碳纖維端蓋與Al、Mg和Cu一樣堅(jiān)固,產(chǎn)生的本底少,不腐蝕,并且可以檢測(cè)低于10 keV的能量。這種較低的本底材料可在特定計(jì)數(shù)時(shí)間內(nèi)降低最小可探測(cè)活度(MDA),這為在低本底計(jì)數(shù)應(yīng)用中增加樣品通量提供了另一種方法。碳纖維的低Z值可提供低能量窗口,而不會(huì)產(chǎn)生在大多數(shù)合金中發(fā)現(xiàn)的額外本底。

    鋁窗選件(-A)
    如果感興趣的能量超過20 keV,則可以選擇全鋁端蓋。

    碳纖維窗選件(-CW)
    碳纖維窗口可用于大于約8 keV的能量。雖然這個(gè)窗口不能通過所有較低的能量,但碳纖維的Z比Al低,并且不存在任何與Be相關(guān)的危險(xiǎn)。

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    請(qǐng)參閱GMX N型HPGe同軸輻射探測(cè)器配置指南以配置探測(cè)器。
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