GAMMA-X系列探測(cè)器采用ORTEC生長(zhǎng)的鍺晶體設(shè)計(jì),該晶體經(jīng)我們位于田納西州橡樹嶺的制造工廠加工。探測(cè)器由N型鍺制成,具有擴(kuò)散Li的內(nèi)部接觸面和離子注入硼的外部超薄接觸面。
GAMMA-X探測(cè)器在高能量和低能量下異常地表現(xiàn)出的效率。ORTEC提供GMX系列HPGe探測(cè)器,相對(duì)效率從10%到100%甚至更高。
ORTEC擁有一系列HPGe探測(cè)器。其中一些具有“超級(jí)規(guī)格”,即保證的能量分辨率優(yōu)于通常的保證規(guī)格。
GAMMA-X探測(cè)器的高低能量性能
GAMMA-X探測(cè)器的高能量性能由其相對(duì)效率、分辨率和其在60Co時(shí)的峰康比定義。
該探測(cè)器的低能量性能由其在5.9keV的分辨率、其有效表面積和探測(cè)器窗口厚度定義。
GAMMA-X探測(cè)器的入射接觸面厚度由現(xiàn)成源的兩個(gè)峰的面積比來(lái)描述。選擇的峰來(lái)自109Cd的88-keV伽馬射線和來(lái)自相同源的22.16-keV Ag K x射線。保證窗口衰減率為20。
WE = | 22.16 keV時(shí)的峰面積 |
88 keV時(shí)的峰面積 |
22 keV峰值/88 keV峰面積
該規(guī)格量化了GAMMA-X探測(cè)器中入射窗口的薄度。來(lái)自109Cd源22keV和88 keV譜線的γ射線的自然比率約為21:1。GAMMA-X探測(cè)器通常顯示>20:1的比率。
鈹窗
70毫米(2.75英寸)或76毫米(3英寸)直徑端蓋(10至~35%)的GMX探測(cè)器配有直徑為51毫米(2英寸)的Be窗口。83毫米(3.25英寸)直徑端蓋(約30至65%)的GMX探測(cè)器配有直徑為64毫米(2.5英寸)的Be窗口。這些窗口為0.020英寸厚并在5.9-keV時(shí)具有~95%的透射系數(shù)。95毫米(3.75英寸)直徑端蓋(約60至100%)的探測(cè)器配有直徑為84毫米(3.3英寸)的Be窗口,該窗口為0.030英寸厚。
高壓禁止和高速率指示
GAMMA-X探測(cè)器具有高壓禁止和高速率指示保護(hù)功能。如果LN2耗盡且探測(cè)器在施加高壓偏壓時(shí)開始回溫(使用659型偏壓電源時(shí)),則高壓會(huì)自動(dòng)關(guān)閉,以保護(hù)FET免受損壞。這通過溫度傳感器(位于探測(cè)器后面的底座上)實(shí)現(xiàn),該溫度傳感器用于在分子篩脫氣并產(chǎn)生危險(xiǎn)的高壓電弧之前關(guān)閉高壓。使用回溫探測(cè)器的高泄漏電流來(lái)關(guān)閉高壓可能導(dǎo)致FET和探測(cè)器損壞。
抗中子損傷
在GAMMA-X探測(cè)器中,收集電子是主要的過程??熘凶訉a(chǎn)生空穴俘獲中心;也就是說,帶負(fù)電的缺陷會(huì)捕獲空穴而不是電子。
因此,與空穴俘獲為主要過程的同軸Ge設(shè)備相比,空穴俘獲為次要過程的GAMMA-X探測(cè)器對(duì)輻射損傷基本上不敏感。這些理論上的猜測(cè)已經(jīng)通過實(shí)驗(yàn)得到證實(shí)。
應(yīng)該注意的是,一旦發(fā)生嚴(yán)重的輻射損傷,“最長(zhǎng)里程”可以通過避免將探測(cè)器循環(huán)到室溫來(lái)獲得。對(duì)于p型或n型Ge探測(cè)器也是如此。然而,對(duì)于輕微損傷的GAMMA-X探測(cè)器(~0.1 keV衰減),回溫循環(huán)甚至長(zhǎng)時(shí)間室溫保存都不會(huì)產(chǎn)生不利影響。
GAMMA-X探測(cè)器應(yīng)盡可能保持在接近77 K的溫度,以盡量減少輻射損傷的程度。因此,為了這個(gè)目的,Streamline低溫恒溫器少了一個(gè)熱連接,是比PopTop更好的選擇。
客戶中子損傷可修復(fù)探測(cè)器
修復(fù)中子損傷的GAMMA-X探測(cè)器可以在我們的任何維修機(jī)構(gòu)進(jìn)行,也可以由您自己在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行。如需獲取更多有關(guān)我們客戶中子損傷可修復(fù)GAMMA-X探測(cè)器的信息,請(qǐng)聯(lián)系我們。